MRF8VP13350GNR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| 설명 | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8VP13350GNR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF8VP13350GNR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.3GHz |
| 이득 | 19.2dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 350W |
| 전압-정격 | 100V |
| 패키지 / 케이스 | OM-780G-4L |
| 공급자 장치 패키지 | OM-780G-4L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 1.88GHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.1A 전원-출력 63W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 720mA 전원-출력 130W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지 H-37275G-6/2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 - 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 40mA 소음 수치 2dB 현재-테스트 15mA 전원-출력 - 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2GHz 이득 11dB 전압-테스트 13.6V 전류 정격 (Amps) 7A 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 15W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 PowerSO-10RF (Straight Lead) |
