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MRF8VP13350GNR3

MRF8VP13350GNR3

참조 용

부품 번호 MRF8VP13350GNR3
PNEDA 부품 번호 MRF8VP13350GNR3
설명 TRANS RF LDMOS 350W 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,014
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8VP13350GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8VP13350GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8VP13350GNR3, MRF8VP13350GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 739.38 KB)
PDFMRF8VP13350GNR3 데이터 시트 표지
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MRF8VP13350GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.3GHz
이득19.2dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력350W
전압-정격100V
패키지 / 케이스OM-780G-4L
공급자 장치 패키지OM-780G-4L

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소음 수치

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현재-테스트

1A

전원-출력

200W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

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-

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Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

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이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

720mA

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37275G-6/2

공급자 장치 패키지

H-37275G-6/2

MMBFJ211

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

31dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

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