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MRF8VP13350GNR3

MRF8VP13350GNR3

참조 용

부품 번호 MRF8VP13350GNR3
PNEDA 부품 번호 MRF8VP13350GNR3
설명 TRANS RF LDMOS 350W 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,014
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8VP13350GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8VP13350GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8VP13350GNR3, MRF8VP13350GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 739.38 KB)
PDFMRF8VP13350GNR3 데이터 시트 표지
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MRF8VP13350GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.3GHz
이득19.2dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력350W
전압-정격100V
패키지 / 케이스OM-780G-4L
공급자 장치 패키지OM-780G-4L

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1228A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.496GHz ~ 2.69GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

380W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

31dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1.88GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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