MRF8VP13350GNR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| 설명 | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8VP13350GNR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8VP13350GNR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF8VP13350GNR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.3GHz |
| 이득 | 19.2dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 350W |
| 전압-정격 | 100V |
| 패키지 / 케이스 | OM-780G-4L |
| 공급자 장치 패키지 | OM-780G-4L |
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 31dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 18mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.496GHz ~ 2.69GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 2.8µA 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 380W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1258-7 공급자 장치 패키지 SOT-1258-7 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 25mA 전원-출력 37dBm 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 16-SOP (0.276", 7.00mm Width) 공급자 장치 패키지 16-PFP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 20mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
