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MRF8VP13350NR3

MRF8VP13350NR3

참조 용

부품 번호 MRF8VP13350NR3
PNEDA 부품 번호 MRF8VP13350NR3
설명 TRANS RF LDMOS 350W 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8VP13350NR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8VP13350NR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8VP13350NR3, MRF8VP13350NR3 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 739.38 KB)
PDFMRF8VP13350GNR3 데이터 시트 표지
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MRF8VP13350NR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.3GHz
이득19.2dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력350W
전압-정격100V
패키지 / 케이스OM780-4
공급자 장치 패키지OM780-4

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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이득

16dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

2.2A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

2W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

765MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1MHz ~ 2.5GHz

이득

16.3dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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