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MRF9180R6

MRF9180R6

참조 용

부품 번호 MRF9180R6
PNEDA 부품 번호 MRF9180R6
설명 FET RF 65V 880MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF9180R6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF9180R6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF9180R6, MRF9180R6 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 309.92 KB)
PDFMRF9180R6 데이터 시트 표지
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MRF9180R6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득17.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력170W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

3.55GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

3W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

25.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

MRF9210R5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

4W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

500MHz

이득

26dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

SC-61AA

공급자 장치 패키지

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