MRF9180R6
참조 용
| 부품 번호 | MRF9180R6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF9180R6 |
| 설명 | FET RF 65V 880MHZ NI-1230 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,400 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF9180R6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF9180R6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF9180R6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 880MHz |
| 이득 | 17.5dB |
| 전압-테스트 | 26V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.4A |
| 전원-출력 | 170W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 50mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 10V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 18.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 6.3W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-780G-4L 공급자 장치 패키지 OM-780G-4L |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 500MHz 이득 26dB 전압-테스트 6V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1.4dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 12.5V 패키지 / 케이스 SC-61AA 공급자 장치 패키지 SMQ |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.96GHz 이득 18dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 4W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 13dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 850mA 전원-출력 18W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
