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MRF9210R3

MRF9210R3

참조 용

부품 번호 MRF9210R3
PNEDA 부품 번호 MRF9210R3
설명 FET RF 65V 880MHZ 860C3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF9210R3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF9210R3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF9210R3, MRF9210R3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 295.35 KB)
PDFMRF9210R3 데이터 시트 표지
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MRF9210R3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득16.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.9A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-860C3
공급자 장치 패키지NI-860C3

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이득

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전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

67W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

148W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

PTFB211803ELV1R0XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

32.5A

소음 수치

-

현재-테스트

1.08A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

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