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MRFE6P9220HR3

MRFE6P9220HR3

참조 용

부품 번호 MRFE6P9220HR3
PNEDA 부품 번호 MRFE6P9220HR3
설명 FET RF 66V 880MHZ NI-860C3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,974
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6P9220HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6P9220HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6P9220HR3, MRFE6P9220HR3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 446.15 KB)
PDFMRFE6P9220HR3 데이터 시트 표지
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MRFE6P9220HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력47W
전압-정격66V
패키지 / 케이스NI-860C3
공급자 장치 패키지NI-860C3

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

100W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

BLF8G22LS-270J

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230S-4 GW

공급자 장치 패키지

NI-1230S-4 GULL

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.18GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1271-2

공급자 장치 패키지

SOT1271-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

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