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MRFE6S9135HSR5

MRFE6S9135HSR5

참조 용

부품 번호 MRFE6S9135HSR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9135HSR5
설명 FET RF 66V 940MHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,716
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9135HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9135HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S9135HSR5, MRFE6S9135HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 485.56 KB)
PDFMRFE6S9135HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6S9135HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수940MHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력39W
전압-정격66V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

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이득

15dB ~ 17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

35W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel GaAs HJ-FET

주파수

12GHz

이득

13dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.65dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-Super Mini Mold

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

IXZH16N60

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

350W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.69GHz

이득

14.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-4S4

공급자 장치 패키지

NI-780-4S4

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