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MRFE6S9200HR3

MRFE6S9200HR3

참조 용

부품 번호 MRFE6S9200HR3
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9200HR3
설명 FET RF 66V 880MHZ NI-880
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,654
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9200HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9200HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S9200HR3, MRFE6S9200HR3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 432.83 KB)
PDFMRFE6S9200HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6S9200HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력58W
전압-정격66V
패키지 / 케이스NI-880
공급자 장치 패키지NI-880

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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N-Channel JFET

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25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

32.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-1

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

PTFB090901FA-V2-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

650mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-37265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

GTVA263202FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.62GHz ~ 2.69GHz

이득

17dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

340W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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