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MRFE6S9205HSR5

MRFE6S9205HSR5

참조 용

부품 번호 MRFE6S9205HSR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9205HSR5
설명 FET RF 66V 880MHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9205HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9205HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S9205HSR5, MRFE6S9205HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 447.26 KB)
PDFMRFE6S9205HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6S9205HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득21.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력58W
전압-정격66V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

465MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.25A

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.8MHz ~ 400MHz

이득

26.4dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

179V

패키지 / 케이스

NI-780GS-4L

공급자 장치 패키지

NI-780GS-4L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

250W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

PD57006STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

70mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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