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MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1

참조 용

부품 번호 MRFE6VP5150NR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP5150NR1
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,158
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP5150NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP5150NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150NR1 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,057.16 KB)
PDFMRFE6VP5150NR1 데이터 시트 표지
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MRFE6VP5150NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.1dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력150W
전압-정격133V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

PTVA120251EA-V2-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

902MHz ~ 928MHz

이득

21.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

750W

전압-정격

108V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

BPS9G2933X-450Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

450W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

12W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

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