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MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5

참조 용

부품 번호 MRFE6VP61K25HR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP61K25HR5
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,266
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP61K25HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP61K25HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP61K25HR5, MRFE6VP61K25HR5 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 967.15 KB)
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MRFE6VP61K25HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득24dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1250W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

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패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

25.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz ~ 2.17GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S

공급자 장치 패키지

NI-400S

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