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MRFE6VP61K25NR6

MRFE6VP61K25NR6

참조 용

부품 번호 MRFE6VP61K25NR6
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP61K25NR6
설명 TRANS RF LDMOS 1250W 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP61K25NR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP61K25NR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP61K25NR6, MRFE6VP61K25NR6 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,035.97 KB)
PDFMRFE6VP61K25GNR6 데이터 시트 표지
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MRFE6VP61K25NR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득23dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1250W
전압-정격133V
패키지 / 케이스OM-1230-4L
공급자 장치 패키지OM-1230-4L

관심을 가질만한 제품

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

110W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

CGHV50200F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

5GHz

이득

11.8dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

200W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440217

공급자 장치 패키지

440217

CGHV60075D5-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

75W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

PD85035TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTFA190451FV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

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