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MRFE6VP6300HR5

MRFE6VP6300HR5

참조 용

부품 번호 MRFE6VP6300HR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP6300HR5
설명 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 16,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP6300HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP6300HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRFE6VP6300HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격130V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

ARF461BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

15dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

25µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

150W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

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B560CQ-13-F

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