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MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3

참조 용

부품 번호 MRFE6VP6600GNR3
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP6600GNR3
설명 TRANS RF LDMOS 600W 50V
제조업체 NXP
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP6600GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP6600GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP6600GNR3, MRFE6VP6600GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,218.73 KB)
PDFMRFE6VP6600GNR3 데이터 시트 표지
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MRFE6VP6600GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득24.7dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력600W
전압-정격133V
패키지 / 케이스OM-780G-4L
공급자 장치 패키지OM-780G-4L

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18dB

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28V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

249-06

공급자 장치 패키지

249-06, Style 3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

17.8dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFB093608FVV2S250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.8A

전원-출력

112W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36260-2

공급자 장치 패키지

H-36260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz

이득

19.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

320mA

전원-출력

4W

전압-정격

70V

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