MRFE6VP8600HR6
참조 용
| 부품 번호 | MRFE6VP8600HR6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFE6VP8600HR6 |
| 설명 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,706 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFE6VP8600HR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFE6VP8600HR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFE6VP8600HR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 860MHz |
| 이득 | 19.3dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.4A |
| 전원-출력 | 125W |
| 전압-정격 | 130V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 - 이득 - 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 16A 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 150W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 SOT-121B 공급자 장치 패키지 CRFM4 |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 4GHz 이득 15.8dB 전압-테스트 2V 전류 정격 (Amps) 40mA 소음 수치 0.6dB 현재-테스트 15mA 전원-출력 5dBm 전압-정격 3V 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
