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MRFE6VP8600HSR6

MRFE6VP8600HSR6

참조 용

부품 번호 MRFE6VP8600HSR6
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP8600HSR6
설명 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP8600HSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP8600HSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP8600HSR6, MRFE6VP8600HSR6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,336.11 KB)
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MRFE6VP8600HSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수860MHz
이득19.3dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력125W
전압-정격130V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

2.66GHz

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14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

35W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10.8dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

3W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

STAC1011-350

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

15dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

350W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

STAC265B

공급자 장치 패키지

STAC265B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.06GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502E

공급자 장치 패키지

CDFM2

최근 판매

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

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SCT30N120

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FN2070-36-08

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