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MRFE6VP8600HSR6

MRFE6VP8600HSR6

참조 용

부품 번호 MRFE6VP8600HSR6
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP8600HSR6
설명 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP8600HSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP8600HSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP8600HSR6, MRFE6VP8600HSR6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,336.11 KB)
PDFMRFE6VP8600HSR6 데이터 시트 표지
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MRFE6VP8600HSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수860MHz
이득19.3dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력125W
전압-정격130V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.06GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502E

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

718.5MHz ~ 725.5MHz

이득

20.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1242C

공급자 장치 패키지

CDFM8

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

29A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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