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MRFG35002N6T1

MRFG35002N6T1

참조 용

부품 번호 MRFG35002N6T1
PNEDA 부품 번호 MRFG35002N6T1
설명 FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35002N6T1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35002N6T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35002N6T1, MRFG35002N6T1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 232.2 KB)
PDFMRFG35002N6T1 데이터 시트 표지
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MRFG35002N6T1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트65mA
전원-출력1.5W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PTFB211501E-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36248-2

공급자 장치 패키지

H-36248-2

VRF3933MP

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

28dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

350W

전압-정격

250V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

PD57060STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

CLF1G0035-100PU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3GHz

이득

14dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

SOT-1228A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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