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MRFG35002N6T1

MRFG35002N6T1

참조 용

부품 번호 MRFG35002N6T1
PNEDA 부품 번호 MRFG35002N6T1
설명 FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35002N6T1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35002N6T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35002N6T1, MRFG35002N6T1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 232.2 KB)
PDFMRFG35002N6T1 데이터 시트 표지
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MRFG35002N6T1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트65mA
전원-출력1.5W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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NXP USA Inc.

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

10W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

PTFC262157FH-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PD57060STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

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