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MS108/TR12

MS108/TR12

참조 용

부품 번호 MS108/TR12
PNEDA 부품 번호 MS108-TR12
설명 DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MS108/TR12 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MS108/TR12
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MS108/TR12, MS108/TR12 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 92.19 KB)
PDFMS109E3/TR8 데이터 시트 표지
MS109E3/TR8 데이터 시트 페이지 2

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MS108/TR12 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If810mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

11.5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

150°C (Max)

C3D12065A

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

35A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 12A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

74µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

641.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

PR1502-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

ES2G-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CMF04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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