MS652S
참조 용
| 부품 번호 | MS652S |
| PNEDA 부품 번호 | MS652S |
| 설명 | RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,668 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MS652S 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MS652S |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MS652S 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 16V |
| 주파수-전환 | 450MHz ~ 512MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 10dB |
| 전력-최대 | 25W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 작동 온도 | 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | M123 |
| 공급자 장치 패키지 | M123 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 33V 주파수-전환 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 8.9db ~ 10dB 전력-최대 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 55HV 공급자 장치 패키지 55HV |
