MSB710-RT1G
참조 용
| 부품 번호 | MSB710-RT1G |
| PNEDA 부품 번호 | MSB710-RT1G |
| 설명 | TRANS PNP 50V 0.5A SC-59 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MSB710-RT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MSB710-RT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MSB710-RT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 500mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| 전력-최대 | 200mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-59 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 650mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V 전력-최대 2W 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
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