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MSM5117400F-60J3-7

MSM5117400F-60J3-7

참조 용

부품 번호 MSM5117400F-60J3-7
PNEDA 부품 번호 MSM5117400F-60J3-7
설명 IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MSM5117400F-60J3-7 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MSM5117400F-60J3-7
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MSM5117400F-60J3-7, MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 252.7 KB)
PDFMSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 표지
MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 2 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 3 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 4 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 5 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 6 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 7 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 8 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 9 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 10 MSM5117400F-60J3-7 데이터 시트 페이지 11

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MSM5117400F-60J3-7 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기16Mb (4M x 4)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지110ns
접근 시간30ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

7133LA55PFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (2K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT24CS01-MAHM-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (2x3)

70T659S10BFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

IS42S32400E-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

CAT28F512GI-90T

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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