MT25QL128ABB8E12-0AUT TR
참조 용
| 부품 번호 | MT25QL128ABB8E12-0AUT TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT25QL128ABB8E12-0AUT-TR |
| 설명 | IC FLASH 128M SPI 24TPBGA |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,038 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT25QL128ABB8E12-0AUT TR 리소스
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MT25QL128ABB8E12-0AUT TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 128Mb (16M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 133MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 8ms, 2.8ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-TBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 24-T-PBGA (6x8) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Winbond Electronics 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3 메모리 크기 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.425V ~ 1.575V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-WBGA (10.5x8) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 700ps 전압-공급 2.5V ~ 2.7V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-FBGA (8x12.5) |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 32Kb (2K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
