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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F

MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F

참조 용

부품 번호 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
PNEDA 부품 번호 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT-84F
설명 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
분류반도체메모리 IC기억

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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH, RAM
기술FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스162-VFBGA
공급자 장치 패키지162-VFBGA (10.5x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-VLGA

공급자 장치 패키지

52-VLGA (18x14)

IS42VS16160J-75TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP2

CAV24C32C4CTR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

4-WLCSP (0.77x0.77)

IS45S16400F-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

MT46V16M16P-6T:K TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

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