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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A

참조 용

부품 번호 MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
PNEDA 부품 번호 MT29F256G08EBHAFJ4-3R-A
설명 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지132-VBGA (12x18)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

80ns

접근 시간

80ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IS62WV12816DBLL-45BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (6x8)

STK11C68-C45I

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-CDIP

CY7C1370D-200AXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

BR25H160F-2CE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOP

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