MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
참조 용
| 부품 번호 | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES-A-TR |
| 설명 | IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,500 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 19 - 11월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR 리소스
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MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 256Gb (32G x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 333MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.5V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 2.4V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
