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MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR

MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR

참조 용

부품 번호 MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR
PNEDA 부품 번호 MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES-B-TR
설명 IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

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Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

78-TFBGA

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

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메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

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Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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