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MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G

참조 용

부품 번호 MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
PNEDA 부품 번호 MT29VZZZBC9FQOPR-053-W-ES-G9G
설명 ALL IN ONE MCP 1072G
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
분류반도체메모리 IC기억

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  • MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G Distributor

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

GD25Q64CSJG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

120MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 2.4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

IS62LV256-70UI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOP

공급자 장치 패키지

28-SOP

7024S17PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

17ns

접근 시간

17ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Tb (256G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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