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MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

참조 용

부품 번호 MT3S111P(TE12L,F)
PNEDA 부품 번호 MT3S111P-TE12L-F
설명 RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 49,482
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT3S111P(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT3S111P(TE12L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MT3S111P(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)6V
주파수-전환8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
이득10.5dB
전력-최대1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지PW-MINI

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CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

16dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

SOT-343F

MS1007

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

14dB

전력-최대

233W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.5V

주파수-전환

22GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

이득

21dB

전력-최대

54mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

KSC2786YTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

18dB ~ 22dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

TO-92S

2SC5606-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3.3V

주파수-전환

21GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

이득

12.5dB

전력-최대

115mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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