MT3S111TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | MT3S111TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | MT3S111TU-LF |
| 설명 | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,734 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
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MT3S111TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MT3S111TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MT3S111TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 6V |
| 주파수-전환 | 10GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 이득 | 12.5dB |
| 전력-최대 | 800mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | UFM |
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