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MT40A1G16RC-062E:B

MT40A1G16RC-062E:B

참조 용

부품 번호 MT40A1G16RC-062E:B
PNEDA 부품 번호 MT40A1G16RC-062E-B
설명 IC DDR4 SDRAM 16GB 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 6,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT40A1G16RC-062E:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A1G16RC-062E:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A1G16RC-062E:B, MT40A1G16RC-062E:B 데이터 시트 (총 페이지: 379, 크기: 10,985.65 KB)
PDFMT40A2G8VA-062E:B 데이터 시트 표지
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MT40A1G16RC-062E:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간19ns
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (10x13)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

CAT24C64WI-GT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

24AA32AT-I/OT

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SOT-23-5

IS61NVF25672-6.5B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (256K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

209-BGA

공급자 장치 패키지

209-LFBGA (14x22)

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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