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MT40A512M16JY-083E AIT:B

MT40A512M16JY-083E AIT:B

참조 용

부품 번호 MT40A512M16JY-083E AIT:B
PNEDA 부품 번호 MT40A512M16JY-083E-AIT-B
설명 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A512M16JY-083E AIT:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A512M16JY-083E AIT:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A512M16JY-083E AIT:B, MT40A512M16JY-083E AIT:B 데이터 시트 (총 페이지: 391, 크기: 11,348.46 KB)
PDFMT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 표지
MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 2 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 3 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 4 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 5 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 6 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 7 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 8 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 9 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 10 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 11

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MT40A512M16JY-083E AIT:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x14)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

S25FL129P0XNFI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON (5x6)

MTFC32GALAHAM-WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT49F002NT-12PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

S29GL01GT13DHNV13

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-T

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

130ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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