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MT40A512M8RH-075E IT:B

MT40A512M8RH-075E IT:B

참조 용

부품 번호 MT40A512M8RH-075E IT:B
PNEDA 부품 번호 MT40A512M8RH-075E-IT-B
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A512M8RH-075E IT:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A512M8RH-075E IT:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A512M8RH-075E IT:B, MT40A512M8RH-075E IT:B 데이터 시트 (총 페이지: 383, 크기: 11,237.05 KB)
PDFMT40A512M8SA-062E:F 데이터 시트 표지
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MT40A512M8RH-075E IT:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (9x10.5)

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Micron Technology Inc.

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Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x10.5)

CY62256NLL-55ZXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-FBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x16)

71V30S55TF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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