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MT41J128M16HA-15E AIT:D

MT41J128M16HA-15E AIT:D

참조 용

부품 번호 MT41J128M16HA-15E AIT:D
PNEDA 부품 번호 MT41J128M16HA-15E-AIT-D
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 8,262
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MT41J128M16HA-15E AIT:D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41J128M16HA-15E AIT:D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41J128M16HA-15E AIT:D, MT41J128M16HA-15E AIT:D 데이터 시트 (총 페이지: 181, 크기: 8,295.36 KB)
PDFMT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 표지
MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 2 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 3 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 4 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 5 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 6 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 7 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 8 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 9 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 10 MT41J256M8HX-15E AIT:D 데이터 시트 페이지 11

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MT41J128M16HA-15E AIT:D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.5ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x14)

관심을 가질만한 제품

CY7C12451KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

W632GU8MB-15 TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-VFBGA (8x10.5)

CY7C1362C-250AJXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-VFBGA

공급자 장치 패키지

168-VFBGA (12x12)

SST25VF040B-50-4I-SAF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

1N4148WS

1N4148WS

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20IMX35D12D12-8G

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TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

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MAX8902BATA+T

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