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MT41J512M4HX-125:D

MT41J512M4HX-125:D

참조 용

부품 번호 MT41J512M4HX-125:D
PNEDA 부품 번호 MT41J512M4HX-125-D
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT41J512M4HX-125:D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41J512M4HX-125:D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41J512M4HX-125:D, MT41J512M4HX-125:D 데이터 시트 (총 페이지: 212, 크기: 2,820.67 KB)
PDFMT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 표지
MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 2 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 3 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 4 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 5 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 6 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 7 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 8 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 9 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 10 MT41J256M8DA-107:K 데이터 시트 페이지 11

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MT41J512M4HX-125:D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (512M x 4)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.75ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (9x11.5)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

2.25Mb (128K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-FPBGA (15x15)

CY7C025-25JXC

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.31x29.31)

IDT71V2576YS150PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT41K512M8THD-15E:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x11.5)

7034S20PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (4K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

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