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MT41J512M8THD-15E:D

MT41J512M8THD-15E:D

참조 용

부품 번호 MT41J512M8THD-15E:D
PNEDA 부품 번호 MT41J512M8THD-15E-D
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41J512M8THD-15E:D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41J512M8THD-15E:D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41J512M8THD-15E:D, MT41J512M8THD-15E:D 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 472.07 KB)
PDFMT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 표지
MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 2 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 3 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 4 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 5 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 6 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 7 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 8 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 9 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 10 MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트 페이지 11

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MT41J512M8THD-15E:D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.5ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (9x11.5)

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Tb (256G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-LBGA

공급자 장치 패키지

152-LBGA (14x18)

S34ML01G200GHI003

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70V9269L15PRF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

공급자 장치 패키지

128-TQFP (14x20)

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