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MT41K128M16JT-125 AAT:K

MT41K128M16JT-125 AAT:K

참조 용

부품 번호 MT41K128M16JT-125 AAT:K
PNEDA 부품 번호 MT41K128M16JT-125-AAT-K
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41K128M16JT-125 AAT:K 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K128M16JT-125 AAT:K
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K128M16JT-125 AAT:K, MT41K128M16JT-125 AAT:K 데이터 시트 (총 페이지: 221, 크기: 16,629.28 KB)
PDFMT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 표지
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MT41K128M16JT-125 AAT:K 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.75ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x14)

관심을 가질만한 제품

7016L20J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (16K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

MT29F64G08CBABBWPR:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S29GL512T12DHVV23

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

IS42RM32160C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

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SDRAM - Mobile

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

2.3V ~ 3V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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