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MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K MT41K128M16JT-125 XIT:K

참조 용

부품 번호 MT41K128M16JT-125 XIT:K
PNEDA 부품 번호 MT41K128M16JT-125-XIT-K
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41K128M16JT-125 XIT:K 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K128M16JT-125 XIT:K
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K128M16JT-125 XIT:K, MT41K128M16JT-125 XIT:K 데이터 시트 (총 페이지: 221, 크기: 16,629.28 KB)
PDFMT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 표지
MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 2 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 3 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 4 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 5 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 6 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 7 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 8 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 9 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 10 MT41K128M16JT-125:K 데이터 시트 페이지 11

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MT41K128M16JT-125 XIT:K 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.75ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x14)

관심을 가질만한 제품

MX29F040CTI-70G

Macronix

제조업체

Macronix

시리즈

MX29F

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

M24C01-WMN6P

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

RMLV0408EGSP-4S2#HA0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOP

CY621472G30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C1370DV25-250AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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