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MT41K512M8DA-107 IT:P

MT41K512M8DA-107 IT:P

참조 용

부품 번호 MT41K512M8DA-107 IT:P
PNEDA 부품 번호 MT41K512M8DA-107-IT-P
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 37,359
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MT41K512M8DA-107 IT:P 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K512M8DA-107 IT:P
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K512M8DA-107 IT:P, MT41K512M8DA-107 IT:P 데이터 시트 (총 페이지: 218, 크기: 3,110.25 KB)
PDFMT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 표지
MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 2 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 3 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 4 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 5 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 6 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 7 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 8 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 9 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 10 MT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 페이지 11

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MT41K512M8DA-107 IT:P 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

93AA66A-I/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IS67WVC4M16ALL-7010BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

LE25S81MCTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

500µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 90°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC/SOPJ

M29W640GT70ZA6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

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