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MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR

MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR

참조 용

부품 번호 MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
PNEDA 부품 번호 MT42L128M32D1TK-25-AIT-A-TR
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR, MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR 데이터 시트 (총 페이지: 169, 크기: 7,209.48 KB)
PDFMT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 표지
MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 2 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 3 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 4 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 5 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 6 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 7 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 8 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 9 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 10 MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR 데이터 시트 페이지 11

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MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.3V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스138-UFBGA, WLBGA
공급자 장치 패키지134-FBGA (10x11.5)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-VSOP

MT46V64M8P-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

25AA160C-I/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

S29WS256RAABHW200E

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

WS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-VFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (11.6x8)

IS41LV16100B-50TL-TR

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM - EDO

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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