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MT47H64M16HR-3 IT:H TR

MT47H64M16HR-3 IT:H TR

참조 용

부품 번호 MT47H64M16HR-3 IT:H TR
PNEDA 부품 번호 MT47H64M16HR-3-IT-H-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT47H64M16HR-3 IT:H TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT47H64M16HR-3 IT:H TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT47H64M16HR-3 IT:H TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간450ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-FBGA (8x12.5)

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C1062GN30-10BGXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (512K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BBGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MT28EW512ABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

105ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-LBGA (11x13)

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

240-WFBGA

공급자 장치 패키지

240-WFBGA (14x14)

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

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