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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

참조 용

부품 번호 MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
PNEDA 부품 번호 MT47H64M8SH-25E-AAT-H-TR
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR, MT47H64M8SH-25E AAT:H TR 데이터 시트 (총 페이지: 128, 크기: 5,900.8 KB)
PDFMT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 표지
MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 2 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 3 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 4 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 5 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 6 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 7 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 8 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 9 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 10 MT47H64M8SH-25E AAT:H 데이터 시트 페이지 11

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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-FBGA (10x18)

관심을 가질만한 제품

CY62147GE-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

AS7C1026B-12JCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

IDT71V2556S133PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

7024S55GB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

84-BPGA

공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

M29F800FB5AN6E2

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

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