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MT49H16M18CSJ-25:B

MT49H16M18CSJ-25:B

참조 용

부품 번호 MT49H16M18CSJ-25:B
PNEDA 부품 번호 MT49H16M18CSJ-25-B
설명 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT49H16M18CSJ-25:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT49H16M18CSJ-25:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT49H16M18CSJ-25:B, MT49H16M18CSJ-25:B 데이터 시트 (총 페이지: 74, 크기: 6,201.12 KB)
PDFMT49H16M18CSJ-25:B 데이터 시트 표지
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MT49H16M18CSJ-25:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TBGA
공급자 장치 패키지144-FBGA (18.5x11)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x11.5)

S72XS256RE0AHBH20

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

XS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

133-VFBGA

공급자 장치 패키지

133-FBGA (8x8)

71T75602S166PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

AT24C16D-PUM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IDT71V416VL15BE

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

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