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MT49H8M36BM-5:B

MT49H8M36BM-5:B

참조 용

부품 번호 MT49H8M36BM-5:B
PNEDA 부품 번호 MT49H8M36BM-5-B
설명 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT49H8M36BM-5:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT49H8M36BM-5:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT49H8M36BM-5:B, MT49H8M36BM-5:B 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 5,572.53 KB)
PDFMT49H16M18SJ-25 IT:B 데이터 시트 표지
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MT49H8M36BM-5:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기288Mb (8M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TFBGA
공급자 장치 패키지144-µBGA (18.5x11)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

EMF8132A3PF-DV-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY15B128Q-SXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT25DL081-SSHN-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S25FL128LAGBHB023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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