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MT52L256M32D1PU-107 WT:B

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

참조 용

부품 번호 MT52L256M32D1PU-107 WT:B
PNEDA 부품 번호 MT52L256M32D1PU-107-WT-B
설명 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT52L256M32D1PU-107 WT:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT52L256M32D1PU-107 WT:B
분류반도체메모리 IC기억

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MT52L256M32D1PU-107 WT:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.2V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

W988D2FBJX7E TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

IDT70P3307S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IS42S16100H-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

5962F1123501QXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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