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MT52L512M64D4GN-107 WT:B

MT52L512M64D4GN-107 WT:B

참조 용

부품 번호 MT52L512M64D4GN-107 WT:B
PNEDA 부품 번호 MT52L512M64D4GN-107-WT-B
설명 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT52L512M64D4GN-107 WT:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT52L512M64D4GN-107 WT:B
분류반도체메모리 IC기억

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MT52L512M64D4GN-107 WT:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스-
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.2V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스256-WFBGA
공급자 장치 패키지256-FBGA (14x14)

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

M27C4002-10C1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

44-PLCC (16.51x16.51)

IDT71P79804S250BQGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.3ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

SST26VF016BAT-104I/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

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