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MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

참조 용

부품 번호 MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
PNEDA 부품 번호 MT53B256M32D1TG-062-XT-ES-C
설명 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
분류반도체메모리 IC기억

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MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

18Kb (2K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

16ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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