MT53B4DCNQ-DC
참조 용
| 부품 번호 | MT53B4DCNQ-DC |
| PNEDA 부품 번호 | MT53B4DCNQ-DC |
| 설명 | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,282 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT53B4DCNQ-DC 리소스
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MT53B4DCNQ-DC 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 200-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 200-VFBGA (10x14.5) |
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제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 20ns 접근 시간 20ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
