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MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

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부품 번호 MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR
PNEDA 부품 번호 MT53B768M64D8WF-062-WT-ES-D-TR
설명 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

153-TFBGA (11.5x13)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

50-TSOP II

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

19ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (7.5x11)

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