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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

참조 용

부품 번호 MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
PNEDA 부품 번호 MT53D384M32D2DS-053-AAT-ES-C
설명 IC DRAM 12G 1866MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
분류반도체메모리 IC기억

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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스200-WFBGA
공급자 장치 패키지200-WFBGA (10x14.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

10ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-LBGA

공급자 장치 패키지

168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

40-DIP Module (0.610", 15.495mm)

공급자 장치 패키지

40-EDIP

70V28L15PFI8/2703

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

DS1220AB-100IND

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-EDIP

EDFB164A1MA-GD-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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