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MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR

MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR

참조 용

부품 번호 MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR
PNEDA 부품 번호 MT53D512M16D1DS-046-WT-D-TR
설명 IC DRAM LPDDR4 FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스-
시계 주파수2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP II

AT28HC256-12SU-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

MT29F32G08ABAAAWP:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

70T3519S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

IDT71256SA15Y

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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