MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
참조 용
| 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E-TR |
| 설명 | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,472 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 리소스
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 32Gb (512M x 64) |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | 2133MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.1V |
| 작동 온도 | -30°C ~ 105°C (TC) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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